Transistor BDX 87C TO-3

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Technische Daten

- silicon transistor
- type: NPN-darlington+diod
- voltage: 100V
- current: 12A
- power: 120W
- frequency range: > 25MHz 
- amplification: ß > 1000
- substitution: BDX 67B, 2N6059, MJ 4035

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